Por Osvaldo LW1DSE
Vamos a analizar ahora, c¢mo reordenando los mismos materiales de la Buck y de la Boost, podemos construir un inversor de polaridad. Nuevamente, redibujo la Buck, base de las topologias no aisladas, para poder ver las diferencias con mas claridad.


Se puede observar que el MOSFET, se encuentra conectado al positivo de la tensi¢n de entrada, y que en la salida, el posistivo de la misma se ha conectado a masa, GND.
Vamos a ver como opera esta configuracion. Empecemos teniendo todos los materiales desde 0Km. Conectamos la fuente de tension de entrada, Ei, y empezamos a switchear (si se me permite el termino) el MOSFET. Cuando este se activa, conecta la fuente de entrada Ei, directamente sobre el inductor L. No vamos a reiterar las condiciones que deben reunir MOSFET, y exitador para no aburrir. El diodo ultrafast se halla bloqueado, pues una tension positiva en su catodo provista por el MOSFET, asi lo impone. La tension impuesta por el MOSFET se aplica con la polaridad expresada sin parentesis, positiva por el lado del MOSFET, y negativa por el borne de masa. Esto crea una corriente que crece linealmente al ritmo determinado por el valor de inductancia, y la tension de la fuente primaria.

La inductancia, responde oponiendose a la tension que intenta aumentar la corriente en su devanado, para ello crea una DDP entra sus terminales expresada por la polaridad sin parentesis. Una vez que se ha cargado de energ¡a en forma de campo magnetico en el gap del nucleo de la inductancia, anulamos el funcionamiento del MOSFET, con lo cual la corriente colapsa. Como el inductor es reaccionario ante un cambio en las condiciones de trabajo, responde creando entre sus bornes, una FEM que se indica con la polaridad mostrada con los parentesis. Es decir, aparece una DDP negativa por el lado del diodo, con lo cual este se ve forzado a entrar en conduccion, cargando al capacitor C, con la polaridad indicada en la figura 2 y proveyendo de energia electrica a nuestra carga, Rc.
Al igual que en la topologia Boost, no hay entrega simultanea de energia por parte de la inductancia y el capacitor, por lo tanto son validos todos los conceptos vertidos en el cap. #4 con respecto a las exigencias del capacitor, inductor, MOSFET, y diodo. Inclusive, sigue teniendo validez lo alli expuesto respecto al ripple de la tension de salida, y de un eventual filtrado posterior, como lo vemos en la figura 3.
Para concluir con la parte referida las topologias que no poseen aislamiento galvanico entre la salida y la entrada, voy a presentar un par de ligeras modificaciones basadas en la Buck. Una de ellas, corresponde a una mejora en el rendimiento, y la otra a un refinamiento.

Este circuito tiene la ventaja de que no existe diodo de recirculacion, el cual ha sido reemplazado por otro MOSFET de potencia. Como puede observarse, el MOSFET 2 efectivamente sustituye al diodo rapido que alli teniamos colocado. Para que sirva, es necesario que ese MOSFET se lo exite con una señal de compuerta invertida con respecto a la del MOSFET 1 (indicado en la figura 4 como +PWM y -PWM), y que no todos los circuitos de PWM son capaces de generar.
No obstante esta pequeña dificultad, esta configuracion es hoy en dia muy utilizada en motherboards de PC para generar las muy bajas tensiones requeridas por el "core" del CPU, donde las corrientes son muy altas, y es imprescindible minimizar las perdidas. Por ejemplo, en un mother destinado a funcionar con un microprocesador PIII o PIV, la tensi¢n del core oscila entre 1.8 y 2.2 Volts. En estas condiciones, un diodo shotky con una caida de .3 o .4 de Volt, representan aproximadamente un 25% de la tension de salida.
Obvio, que esa perdida se transforma en calor, que debe evacuarse del sistema mediante discipadores, y eventualmente ventiladores (coolers), aumentando el costo, tamaño, peso, e incomodidad de todos esos elementos, junto a una marcada merma en la confiabilidad y eficiencia del sistema. Un MOSFET tipico para este servicio, posee una tension de avalancha de unos 30V (mas que suficiente teniendo en cuenta que se parte desde la iinea de 5V), una corriente admisible de unos 70 u 80 amper, y resistencia de encendido por debajo del mohms (miliohm). Entoces, la caida interna en este caso es de unas pocas decenas de mV (milivolts) contra los .4V del diodo. Y es asi como lasperdidas no llegan al watt.

En este esquematico puede verse que se ha adicionado un devanado (o mas, de ser necesarios), del cual se puede extraer energia del inductor en el momento en que el MOSFET no conduce y si lo hace el diodo D1, cosa que se puede apreciar al analizar las polaridades relativas de esos bobinados (lo cual se indica con el s¡mbolo ø , y que explicita lo que se llama bornes o terminales homonimos). En efecto, como durante este intervalo de tiempo tenemos en el inductor un campo magnetico que esta decreciendo en amplitud, y es por lo tanto, variable, podemos inducir una FEM en otro bobinado que se halle intimamente acoplado al nucleo. En estas condiciones, como la tension de salida esta siendo controlada por el lazo de realimentacion negativa que controla al PWM (no mostrado hasta ahora en ninguna figura por motivos de simplicidad), la tension de salida sobre la carga Rc2 puede evaluarse:

Es decir, que a la tension de salida sobre Rc1, sumada la caida en directa del diodo D1, y multiplicada por la relacion de espiras entre estos bobinados, y restando la caida del diodo D2, nos da la tension disponible para la carga Rc2. La tensi¢n as¡ obtenida, est bien regulada por linea, pero no tanto por carga, por lo tanto si es importante una buena estabilidad por carga de ese voltaje, deber ser post-regulado. Tambien podria tomarse energia del inductor en el per¡odo en que esta conduciendo el MOSFET, pero dicha tension no esta controlada, y es proporcional a la tension de entrada sin regular, por lo tanto no es conveniente esta conexion, y normalente nunca se la utiliza. Por otro lado no es necesario que las masas esten unidas, mientras la aislacion entre bobinas lo permita. Inclusive, puede tener su polo positivo unido a masa, para lo cual basta con invertir la polaridad del devanado auxiliar, diodo, y capacitores electroliticos referidos a esta salida.
Un pequeño detalle a tener en cuenta: NO DEBE CREERSE QUE EL INDUCTOR SE HA CONVERTIDO EN UN TRANSFORMADOR, pues no lo es. En cambio, debe decirse que son INDUCTORES MUTUAMENTE ACOPLADOS. Para considerarse transformador, debe entregarse potencia al secundario en todo el ciclo, mientras que en este caso se hace el pasaje solo durante el tiempo que dura la recuperacion de energia del inductor. De hecho, este segundo devanado "roba" energia de recuperacion durante este periodo, y debe ser repuesto en el siguiente proceso de carga cuando se encienda el MOSFET. O sea, que la potencia que se extraiga por el o los devanados adicionales a L, deben ser sumados a la potencia consumida desde la salida principal de la fuente, para entonces considerar la potencia que debe ser capaz de manipular el MOSFET. Seguramente, este detalle lo ha tenido en cuenta el Ingeniero que desarrollo el sistema, por cuanto ante una eventual reparacion, siempre debe buscarse un MOSFET de caracteristicas iguales o mejores que el original.
Fin capItulo #5 |